AO4498E Todos los transistores

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AO4498E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4498E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.3 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0058 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO-8

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AO4498E Datasheet (PDF)

1.1. ao4498e.pdf Size:261K _aosemi

AO4498E
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AO4498E 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4498E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 18A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V) < 5.8mΩ and battery protection applications. RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 8.5mΩ ESD Protected 100% UIS Tested

1.2. ao4498e.pdf Size:1373K _kexin

AO4498E
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4498E (KO4498E) SOP-8 Unit:mm ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 5.8mΩ (VGS = 10V) 1.50 0.15 ● RDS(ON) < 8.5mΩ (VGS = 4.5V) ● ESD Rating: 2KV HBM 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit

4.1. ao4498.pdf Size:185K _aosemi

AO4498E
AO4498E

AO4498 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS (V) = 30V The AO4498 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID = 18A (VGS = 10V) extremely low RDS(ON). This device is ideal for load RDS(ON) < 5.5mΩ (VGS = 10V) switch and battery protection applications. RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = 4.5V) 100% UIS Tested 100% Rg Tested

4.2. ao4498.pdf Size:1411K _kexin

AO4498E
AO4498E

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4498 (KO4498) SOP-8 Unit:mm ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 18 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 ● RDS(ON) < 5.5mΩ (VGS = 10V) ● RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30

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