AO4568 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4568
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4568

AO4568 Datasheet (PDF)

..1. Size:331K aosemi
ao4568.pdf

AO456830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:1416K kexin
ao4568.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4568 (KO4568)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 12 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 17.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS

9.1. Size:337K aosemi
ao4566.pdf

AO456630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:1349K kexin
ao4566.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4566 (KO4566)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 12 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS = 10V) RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30

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Liste

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