AO4588 Todos los transistores

 

AO4588 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4588
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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AO4588 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  aosemi
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AO4588

AO458830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4588 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 20Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1122K  kexin
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AO4588

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO4588 (KO4588)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 4.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 6.2m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain ESD Rating: 2KV HBM6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr

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