AO4720 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AO4720 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4720

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 308 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4720 datasheet

..1. Size:199K aosemi
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AO4720 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4720 uses advanced trench ID =13A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

..2. Size:1844K kexin
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9.1. Size:178K aosemi
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AO4724 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4724 uses advanced trench ID = 10.5A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

9.2. Size:174K aosemi
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AO4722 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary TM VDS (V) = 30V SRFET The AO4722 uses advanced trench ID =11.6A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and RDS(ON)

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