AO4803 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AO4803 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4803

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4803 datasheet

..1. Size:609K aosemi
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AO4803 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -5A suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)

..2. Size:1813K kexin
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SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO4803 (KO4803) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V ID = -5 A (VGS = -10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS = -10V) RDS(ON) 87m (VGS = -4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D D D D G1 G2 G1 G2 S1 S2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt

0.1. Size:608K aosemi
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AO4803A 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO4803A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -5A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=-10V)

0.2. Size:2058K kexin
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SMD Type MOSFET Dual P-Channel MOSFET AO4803A (KO4803A) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = -30V 1.50 0.15 ID = -5 A (VGS = -10V) RDS(ON) 46m (VGS = -10V) RDS(ON) 74m (VGS = -4.5V) 1 S2 5 D1 6 D1 2 G2 7 D2 3 S1 8 D2 4 G1 D D D D G1 G2 G1 G2 S1 S2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo

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