AO4803A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4803A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
- Selección de transistores por parámetros
AO4803A Datasheet (PDF)
ao4803a.pdf
AO4803A30V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4803A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -5Adevice is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4803a.pdf
SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETAO4803A (KO4803A)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V1.50 0.15 ID = -5 A (VGS = -10V) RDS(ON) 46m (VGS = -10V) RDS(ON) 74m (VGS = -4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D DD DG1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
ao4803.pdf
AO480330V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO4803 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) with low gate charge. This device is ID (at VGS=-10V) -5Asuitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao4803.pdf
SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETAO4803 (KO4803)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = -30V ID = -5 A (VGS = -10V)1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS = -10V) RDS(ON) 87m (VGS = -4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D DD DG1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt
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History: BSS84KR
History: BSS84KR
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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