AOD474A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD474A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOD474A
AOD474A Datasheet (PDF)
aod474a.pdf
AOD474A75V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD474A combines advanced trench MOSFET 75Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 10Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aod474b.pdf
AOD474B75V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD474B combines advanced trench MOSFET 75Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 10Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aod474.pdf
AOD47475V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD474 combines advanced trench MOSFET 75Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 10Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS=10V)
aod474.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD474FEATURESDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 130m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
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Liste
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