AOD502 Todos los transistores

 

AOD502 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD502

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 483 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AOD502 datasheet

 ..1. Size:283K  aosemi
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AOD502

AOD502 25V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power MOSFET technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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AOD502

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD502 FEATURES Drain Current I = 46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =25V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 8m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose ap

 9.1. Size:302K  aosemi
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AOD502

AOD508/AOI508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:287K  aosemi
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AOD502

AOD504 25V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power MOSFET technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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