AOD5T40P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD5T40P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AOD5T40P MOSFET
AOD5T40P Datasheet (PDF)
aod5t40p.pdf

AOD5T40P400V,3.9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 15A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aod5t40p.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5T40PFEATURESDrain Current I = 3.9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.45(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Otros transistores... AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , AOD538 , AOD5N40 , AOD5N50 , SKD502T , AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 .
History: NP82N055NHE | 2SK2596 | TT8K11 | BSO200P03S
History: NP82N055NHE | 2SK2596 | TT8K11 | BSO200P03S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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