AOD5T40P Todos los transistores

 

AOD5T40P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD5T40P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AOD5T40P datasheet

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AOD5T40P

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AOD5T40P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5T40P FEATURES Drain Current I = 3.9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.45 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , AOD538 , AOD5N40 , AOD5N50 , RFP50N06 , AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 , AOD7N65 , AOD7S60 , AOD7S65 .

History: BSZ12DN20NS3G | WMS04N10TS | LSH65R950HT | BSZ035N03LS

 

 

 

 

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