AOD5T40P Todos los transistores

 

AOD5T40P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOD5T40P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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AOD5T40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  aosemi
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AOD5T40P

AOD5T40P400V,3.9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 15A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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AOD5T40P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD5T40PFEATURESDrain Current I = 3.9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.45(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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