AOI482 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI482
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Encapsulados: TO-251A
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AOI482 datasheet
aod482 aoi482.pdf
AOD482/AOI482 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOD482/AOI482 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 32A provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi482.pdf
AOD482/AOI482 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AOD482/AOI482 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 32A provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOI482 FEATURES Drain Current I =32A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 37m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a
Otros transistores... AOI4184 , AOI4185 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , IRF740 , AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 .
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