AOI482 Todos los transistores

 

AOI482 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI482
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A
 

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AOI482 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  aosemi
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AOI482

AOD482/AOI482100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD482/AOI482 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 32Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:299K  aosemi
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AOI482

AOD482/AOI482100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS100VThe AOD482/AOI482 combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance package to ID (at VGS=10V) 32Aprovide extremely low RDS(ON). This device is ideal for RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:272K  inchange semiconductor
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AOI482

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI482FEATURESDrain Current I =32A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 37m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Otros transistores... AOI4184 , AOI4185 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , IRF740 , AOI4N60 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 .

History: BSC040N10NS5 | BUK9610-100B | DMN3032LFDB | RQ3E120BN | 7N65KL-TF2-T | RJK0456DPB

 

 
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