AOI5N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOI5N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOI5N40

AOI5N40 Datasheet (PDF)

..1. Size:472K aosemi
aoi5n40.pdf

AOD5N40/AOI5N40400V,4.2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using anadvanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2Apopular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:274K inchange semiconductor
aoi5n40.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI5N40FEATURESDrain Current I = 4.2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.6(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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Liste

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