AOI5N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI5N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: TO-251A
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AOI5N40 datasheet
aoi5n40.pdf
AOD5N40/AOI5N40 400V,4.2A N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AOD5N40 & AOI5N40 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed VDS 500V@150 to deliver high levels of performance and robustness in ID (at VGS=10V) 4.2A popular AC-DC applications. RDS(ON) (at VGS=10V)
aoi5n40.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOI5N40 FEATURES Drain Current I = 4.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.6 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
Otros transistores... AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , AOI538 , IRFB4110 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AOK18N65 , AOK20N60 .
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