AON3613 Todos los transistores

 

AON3613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON3613
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12(20) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5(5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(60) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052(0.068) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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AON3613 Datasheet (PDF)

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AON3613

AON361330V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3613 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 4.5A ID = -4.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)

 8.1. Size:446K  aosemi
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AON3613

AON361130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 5A ID = -6A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)

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History: DATD063N06N | JCS12N65CT | SGSP363 | BLP012N08-T | IPS80R1K4P7 | 2SK1446 | NP160N055TUJ

 

 
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