AON3613 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AON3613 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON3613

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12(20) V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5(5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(60) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052(0.068) Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AON3613 datasheet

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AON3613 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-channel P-channel The AON3613 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V complementary MOSFETs may be used in inverter and ID = 4.5A ID = -4.5A (VGS = 10V) other applications. RDS(ON)

8.1. Size:446K aosemi
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AON3611 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-channel P-channel The AON3611 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V complementary MOSFETs may be used in inverter and ID = 5A ID = -6A (VGS = 10V) other applications. RDS(ON)

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