AON3613 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON3613
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12(20) V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5(5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(60) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052(0.068) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON3613

AON3613 Datasheet (PDF)

..1. Size:417K aosemi
aon3613.pdf

AON361330V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3613 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 4.5A ID = -4.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)

8.1. Size:446K aosemi
aon3611.pdf

AON361130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 5A ID = -6A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)

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Liste

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