AON6758 Todos los transistores

 

AON6758 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6758
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 913 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AON6758 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  aosemi
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AON6758

AON675830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 32A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON675630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 36A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON675430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON675230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AOB418 | SVS65R380DD4TR | 2SJ665 | SL3N06 | WVM13N50 | FDMQ8203

 

 
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