AON6758 Todos los transistores

 

AON6758 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6758

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 913 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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AON6758 datasheet

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AON6758

AON6758 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 32A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON6756 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 36A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON6754 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON6758

AON6752 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 85A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: AGM210MAP | AGM215MNE

 

 

 

 

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