AON6884 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AON6884 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6884

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm

Encapsulados: DFN5X6EP2

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AON6884 datasheet

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AON6884 40V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V The AON6884 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This is an ID (at VGS=10V) 34A all purpose device that is suitable for use in a wide range RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:244K aosemi
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AON6850 100V Dual N-Channel MOSFET TM SDMOS General Description Product Summary VDS 100V The AON6850 is fabricated with SDMOSTM trench ID (at VGS=10V) 28A technology that combines excellent RDS(ON) with low gate

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AON6812 AlphaMOS 30V Common Drain N-Channel General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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