AON7423 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AON7423 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON7423

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 928 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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AON7423 datasheet

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AON7423 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AON7423 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-4.5V) -50A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

..2. Size:290K aosemi
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AON7421 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AON7421 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -50A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

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