AOT13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOT13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.51 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOT13N50

AOT13N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:159K aosemi
aot13n50.pdf

AOT13N50/AOTF13N50500V, 13A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT13N50 & AOTF13N50 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 13Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:892K cn vbsemi
aot13n50.pdf

AOT13N50www.VBsemi.twN-Channel 650 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.34 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) 106 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche ener

..3. Size:261K inchange semiconductor
aot13n50.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT13N50FEATURESDrain Current I = 13A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.51(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: