AOT2618L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOT2618L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT2618L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AOT2618L datasheet

..1. Size:367K aosemi
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AOT2618L/AOB2618L/AOTF2618L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2618L & AOB2618L & AOTF2618L uses trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 23A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:424K aosemi
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..3. Size:245K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2618L FEATURES Drain Current I = 23A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 19m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and gener

8.1. Size:348K aosemi
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