AOT440 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOT440
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 744 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOT440

AOT440 Datasheet (PDF)

..1. Size:227K aosemi
aot440.pdf

AOT44040V N-Channel MOSFETTMSDMOSGeneral Description Product SummaryVDS 40VThe AOT440 is fabricated with SDMOSTM trenchtechnology that combines excellent RDS(ON) with low gate ID (at VGS=10V) 105Acharge & low Qrr.The result is outstanding efficiency with RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:244K inchange semiconductor
aot440.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT440FEATURESDrain Current I = 105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgener

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: