HEPF2004 Todos los transistores

 

HEPF2004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HEPF2004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 9 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.05 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 100 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72

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HEPF2004 Datasheet (PDF)

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