HEPF2004 Todos los transistores

 

HEPF2004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HEPF2004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 9 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm

Encapsulados: TO72

- Selección ⓘ de transistores por parámetros