AOY528 Todos los transistores

 

AOY528 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOY528
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 483 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251B
 

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AOY528 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  aosemi
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AOY528

AOY52830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
 aoy526.pdf pdf_icon

AOY528

AOY52630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: QM01N65D | BUK9E08-55B | CED02N6A | DH026N06 | ZXMP6A13FQ | AON5820 | DH3N90

 

 
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