2SJ154 Todos los transistores

 

2SJ154 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ154

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: MP45

 Búsqueda de reemplazo de 2SJ154 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SJ154 datasheet

 ..1. Size:84K  no
2sj154.pdf pdf_icon

2SJ154

 9.1. Size:194K  inchange semiconductor
2sj156.pdf pdf_icon

2SJ154

INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application

Otros transistores... AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , IRFB3607 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR .

History: SGT100N45T | RU6888R3 | RUE002N02 | HCD65R2K2 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.