2SJ154 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ154
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: MP45
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2SJ154 datasheet
2sj156.pdf
INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application
Otros transistores... AOWF8N50 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , IRFB3607 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , 2SK850 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR .
History: SGT100N45T | RU6888R3 | RUE002N02 | HCD65R2K2 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
History: SGT100N45T | RU6888R3 | RUE002N02 | HCD65R2K2 | HY3410PM | RF4E110BN | HY3410B
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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