APT50M60L2VFR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT50M60L2VFR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 825 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO264

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APT50M60L2VFR datasheet

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APT50M60L2VFR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060W POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package Faster Switching D

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APT50M60L2VFR

APT50M60L2VFR 500V 77A 0.060 POWER MOS V FREDFET TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D TO-264 MAX Packa

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