STU5025NL2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU5025NL2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de STU5025NL2 MOSFET
STU5025NL2 Datasheet (PDF)
stu5025nl2 std5025nl2.pdf

GreenProductSTU/D5025NL2aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.25V 50A15 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251
Otros transistores... 2SK3615 , 2SK3782 , 2SK3783 , 2SK3900 , 2SK2078 , STU6025NL , STU601S , STU600S , 8N60 , STU466S , STU45N01 , STU458S , STU456S , STU456A , STU452S , STU449S , STU448S .
History: TSF10N65M | SWP060R68E7T | ET6303 | TSU5N60M | ME60N03-G | 25N10G-TM3-T | BUK9Y7R2-60E
History: TSF10N65M | SWP060R68E7T | ET6303 | TSU5N60M | ME60N03-G | 25N10G-TM3-T | BUK9Y7R2-60E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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