STU328S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU328S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU328S datasheet

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STU328S

Gree r r P Pr Pr Pro STU/D328S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 4.9 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 58A 30V 7.2 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK

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STU328S

STU/D320S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 20 @ VGS=10V 30V 30A TO-252 and TO-251 Package. 29 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G G S STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK) S

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STU328S

Gre r r P Pr Pr Pro STU/D326S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 6.3 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 52A 30V 9.5 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK

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