STU2030PLS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU2030PLS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU2030PLS

STU2030PLS Datasheet (PDF)

..1. Size:126K samhop
stu2030pls std2030pls.pdf

GreenProductS TU/D2030P LSS amHop Microelectronics C orp.Aug 20 2005P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESR DS (ON) ( m ) MaxVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R ugged and reliable.32 @ VGS =-10V-30V -20ATO-252 and TO-251 Package.55 @ VGS = -4.5VDDDGGGSSSTU SERIES STU SERIESTO-252AA

9.1. Size:106K samhop
stu20n15 std20n15.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D20N15aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.58 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.150V 20A65 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK

9.2. Size:106K samhop
stu20l01a std20l01a.pdf

GrPPrPPSTU/D20L01AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.49 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.100V 20A56 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO -

9.3. Size:122K samhop
stu20l01 std20l01.pdf

GreenProductSTU/D20L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.54 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.20A100V63 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO -

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Liste

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