STT468A Todos los transistores

 

STT468A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT468A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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STT468A Datasheet (PDF)

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STT468A

GreenProductSTT468AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.250 @ VGS=10VSurface Mount Package.40V 2.2A350 @ VGS=4.5VESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

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STT468A

GreenProductSTT4660aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.23 @ VGS=10VSurface Mount Package.8.5A60V36 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)AB

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History: 5N90 | BSP030 | SWU12N70D | AP3310GH | SWD7N65DA | BSP321P | STB100N6F7

 

 
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