STT468A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT468A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT468A datasheet
stt468a.pdf
Green Product STT468A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 250 @ VGS=10V Surface Mount Package. 40V 2.2A 350 @ VGS=4.5V ESD Protected. D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM
stt4660.pdf
Green Product STT4660 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 23 @ VGS=10V Surface Mount Package. 8.5A 60V 36 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 (TA=25 C unless otherwise noted) AB
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History: AP40T03GI-HF
History: AP40T03GI-HF
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