STT4660 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT4660
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STT4660

STT4660 Datasheet (PDF)

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stt4660.pdf

GreenProductSTT4660aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.23 @ VGS=10VSurface Mount Package.8.5A60V36 @ VGS=4.5VDGGSSTT SERIESSSOT - 223(TA=25C unless otherwise noted)AB

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stt468a.pdf

GreenProductSTT468AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.250 @ VGS=10VSurface Mount Package.40V 2.2A350 @ VGS=4.5VESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

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