STT432S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT432S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT432S datasheet
stt432s.pdf
Green Product STT432S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 11.5 @ VGS=10V Surface Mount Package. 11A 40V 15 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 (TA=25 C unless otherwise noted) AB
Otros transistores... STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , STU1955NL , STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , AON6414A , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 .
History: MPG120N06P | S70N06RP | AGM4025D | SI2318DS-T1-GE3 | H50N03J | FCPF190N65S3R0L
History: MPG120N06P | S70N06RP | AGM4025D | SI2318DS-T1-GE3 | H50N03J | FCPF190N65S3R0L
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Liste
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