STS8213 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS8213
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Encapsulados: TSOT26
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STS8213 datasheet
sts8213.pdf
Green Product STS8213 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16.0 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 16.5 @ VGS=3.7V 20V 7A ESD Protected. 18.0 @ VGS=3.1V 22.0 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top View S1
sts8216.pdf
Green Product STS8216 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 20 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 20V 6A 27 @ VGS=2.5V ESD Protected. D1 D2 SOT 26 Top View S1 G1 6 1 G 1 G 2 D1/D2 2 5 D1/D2 3
sts8217.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STS8217 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 16.5 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 17 @ VGS=3.7V 24V 7A ESD Protected. 18 @ VGS=3.1V 27 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26 Top View S1
sts8215.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STS8215 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 24.5 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 25.5 @ VGS=4.0V ESD Protected. 20V 5.5A 27.5 @ VGS=3.7V 30.5 @ VGS=3.1V 36.5 @ VGS=2.5V D1 D
Otros transistores... STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , 2N7002 , STS8212 , STS8207 , STS8205 , STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 .
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