STS8207 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS8207
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOT26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS8207

STS8207 Datasheet (PDF)

..1. Size:105K samhop
sts8207.pdf

GrerrPPrPrProSTS8207aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.34 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.36 @ VGS=3.7V20V 4.5AESD Protected.40 @ VGS=3.1V49 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

8.1. Size:113K samhop
sts8202.pdf

GreenProductSTS8202aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28 @ VGS=4.0V ESD Protected.20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top Vi

8.2. Size:106K samhop
sts8205.pdf

GrerrPPrPrProSTS8205aS mHop Microelectronics C orp.Ver 4.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28.5 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 5A 30.0 @ VGS=3.7V33.0 @ VGS=3.1V38.0 @ VGS=2.5VD1 D2

8.3. Size:106K samhop
sts8201.pdf

GrerrPPrPrProSTS8201aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.21.0 @ VGS=4.0VESD Protected.20V 6A 21.5 @ VGS=3.7V24.5 @ VGS=3.1V29.5 @ VGS=2.5VD1 D2

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: JCS4N65VB | JCS20N60FH | IRFS450B

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: