STF8209A Todos los transistores

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STF8209A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STF8209A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.67 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 106 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: TDFN2x5

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STF8209A Datasheet (PDF)

1.1. stf8209a.pdf Size:86K _samhop

STF8209A
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Gree r r P Pr Pr Pro STF8209A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max Rugged and reliable. 22.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 23.0 @ VGS=4.0V 20V 6.5A 24.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 27.5 @ VGS=3.1V 33.5 @ VGS=2.5V Bot

3.1. stf8209.pdf Size:89K _samhop

STF8209A
STF8209A

Gr P Pr P P STF8209 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.2 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max Rugged and reliable. 22.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 22.5 @ VGS=4.0V 20V 6.5A 23.5 @ VGS=3.7V ESD Protected. 27.5 @ VGS=3.1V 33.5 @ VGS=2.5V G2 Bottom Drai

4.1. stf8204.pdf Size:117K _samhop

STF8209A
STF8209A

Green Product STF8204 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max Rugged and reliable. 9.0 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 9.5 @ VGS=4.0V 20V 9.5A 10.0 @ VGS=3.7V ESD Protected. 11.2 @ VGS=3.1V 13.5 @ VGS=2.5V G2 Bottom Drain C

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