STE336S Todos los transistores

 

STE336S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE336S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 244 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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STE336S Datasheet (PDF)

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STE336S

GreenProductSTE336SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.4.7 @ VGS=10V30V 22ASurface Mount Package.8.7 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C

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STE336S

GreenProductSTE334SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.4.7 @ VGS=10V30V 18ASurface Mount Package.8.3 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C

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STE336S

GreenProductSTE339SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.10.5 @ VGS=10V30V 12ASurface Mount Package.15 @ VGS=4.5V 5 6 7 8PIN 11 2 3 4Power Pak 5 x 6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C

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