STD628S Todos los transistores

 

STD628S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD628S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 

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STD628S Datasheet (PDF)

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STD628S

STU628SGreenProductSTD628SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 40A16 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)

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STD628S

GreerrPPrPrProSTU/D622SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.74 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.17A60V96 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

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STD628S

GrerrPPrPrProSTU/D624SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.17.5 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.35A60V30 @VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK

Otros transistores... STG8211 , STF8233 , STF8220 , STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , STE334S , CS150N03A8 , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 , SP8009E .

History: SWUI6N70DA | RU40L60M

 

 
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