STD628S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD628S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD628S

STD628S Datasheet (PDF)

..1. Size:121K samhop
stu628s std628s.pdf

STU628SGreenProductSTD628SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 40A16 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)

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stu622s std622s.pdf

GreerrPPrPrProSTU/D622SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.74 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.17A60V96 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

9.2. Size:110K samhop
stu624s std624s.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D624SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.17.5 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.35A60V30 @VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK

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Liste

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