SDF08N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF08N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDF08N60
SDF08N60 Datasheet (PDF)
sdf08n60 sdp08n60.pdf
SDP08N60SDF08N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 8A 0.89 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma
sdf08n50 sdp08n50.pdf
SDP08N50SDF08N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.500V 8A 0.7 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma
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History: SD10425JAA
History: SD10425JAA
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