SDF02N20 Todos los transistores

 

SDF02N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF02N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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Principales características: SDF02N20

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SDF02N20

SDP02N20 Green Product SDF02N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 200V 2A 3.0 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25

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SDF02N20

SDP02N65 SDF02N65 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 650V 2A 5.6 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Mar

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History: PTF2N65 | MTP4N90 | PSMN6R4-30MLD | ZVNL110ASTOB | PT9435 | ZVN3310FTA | IPA60R180P7S

 

 
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