SDF02N20 Todos los transistores

 

SDF02N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF02N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SDF02N20 Datasheet (PDF)

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SDF02N20

SDP02N20GreenProductSDF02N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.200V 2A 3.0 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25

 8.1. Size:188K  samhop
 sdf02n65 sdp02n65.pdf pdf_icon

SDF02N20

SDP02N65SDF02N65aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.650V 2A 5.6 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Mar

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