FQT2P25 Todos los transistores

 

FQT2P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQT2P25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.55 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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FQT2P25 Datasheet (PDF)

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November 2013 FQT2P25 P-Channel QFET® MOSFET -250 V, -0.55 A, 4.0 Ω Description Features • These P-Channel enhancement mode power field effect -0.55 A, -250 V, RDS(on) = 4.0 Ω (Max.) @ VGS = -10 V, ID = -0.275 A transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced • Low Gate Charge (Typ. 6.5 nC) technology has been especial

1.2. fqt2p25tf.pdf Size:652K _fairchild_semi

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May 2001 TM QFET FQT2P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -0.55A, -250V, RDS(on) = 4.0Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology has been especially tailore

 

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