HUF75852G3F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUF75852G3F085
Código: 75852G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 215 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 151 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF75852G3F085
HUF75852G3F085 Datasheet (PDF)
huf75852g3.pdf
HUF75852G3Data Sheet December 200175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comDRAIN(TAB) Pe
huf75852g3 f085.pdf
HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA
huf75852g3.pdf
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