HUF76639SF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUF76639SF085
Código: 76639S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 71 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 207 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF76639SF085
HUF76639SF085 Datasheet (PDF)
huf76639s3s.pdf
HUF76639P3, HUF76639S3SData Sheet December 200150A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.026, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle
huf76639s f085.pdf
HUF76639S3ST_F085July 201250A, 100V, 0.026 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.026, VGS = 10V (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical ModelsSOURCE- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.com
huf76639s3s.pdf
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