FDBL9403F085 Todos los transistores

 

FDBL9403F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDBL9403F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0009 Ohm

Encapsulados: H-PSOF

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FDBL9403F085 datasheet

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FDBL9403F085

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FDBL9403F085

FDBL9403-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 240 A, 0.9 m Features Typical RDS(on) = 0.65 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 144 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications G Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers S Integrated Starter/Alternator Primary Switc

 6.3. Size:420K  onsemi
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FDBL9403F085

FDBL9403L-F085 Single N Channel Power MOSFET 40 V, 240 A, 0.72 mW Features www.onsemi.com Small Footprint (TOLL) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 0.72 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

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