FDBL9406F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDBL9406F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Encapsulados: H-PSOF
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FDBL9406F085 datasheet
fdbl9406 f085.pdf
May 2014 FDBL9406_F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 240 A, 1.2 m Features Typical RDS(on) = 0.9 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 90 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability D RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications G Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers S Integrated Starter/Alternator For c
fdbl9406-f085.pdf
FDBL9406-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40 V, 240 A, 1.2 m Features D Typical RDS(on) = 0.9 m at VGS = 10V, ID = 80 A Typical Qg(tot) = 90 nC at VGS = 10V, ID = 80 A UIS Capability RoHS Compliant G Qualified to AEC Q101 Applications S Automotive Engine Control PowerTrain Management Solenoid and Motor Drivers Integrated Starter/Alternator Primary Switch
fdbl9406l-f085.pdf
MOSFET - Power, Single N-Channel 40 V, 1.1 mW, 240 A FDBL9406L-F085 Features Small Footprint (TOLL) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1.1 mW @ 10 V
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