HUF76105SK8 Todos los transistores

 

HUF76105SK8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76105SK8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: MS012AA
 

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HUF76105SK8 datasheet

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HUF76105SK8

HUF76105SK8 Data Sheet May 1999 File Number 4719.1 5.5A, 30V, 0.050 Ohm, N-Channel, Logic Features Level UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate Drive This N-Channel power MOSFET is 5.5A, 30V manufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.050 UltraFET process. This advanced process technology achieves the Simulation Models lowest possible

 6.1. Size:174K  intersil
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HUF76105SK8

HUF76105DK8 TM Data Sheet June 2000 File Number 4380.6 5A, 30V, 0.050 Ohm, Dual N-Channel, Features Logic Level UltraFET Power MOSFET Logic Level Gate Drive This N-Channel power MOSFET is 5A, 30V manufactured using the innovative Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.050 UltraFET process. This advanced process technology achieves the Temperature Compensating

 7.1. Size:367K  intersil
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HUF76105SK8

HUF76107P3 Data Sheet October 1999 File Number 4382.5 20A, 30V, 0.052 Ohm, N-Channel, Logic Features Level UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate Drive These N-Channel power 20A, 30V MOSFETs are manufactured using Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.052 the innovative UltraFET process. This advanced process technology Temperature Compensating PSPICE Model a

 7.2. Size:112K  intersil
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History: FDMA1027PT

 

 

 


 
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