FPF1C2P5BF07A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FPF1C2P5BF07A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: F1

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FPF1C2P5BF07A

FPF1C2P5BF07A Datasheet (PDF)

..1. Size:2341K fairchild semi
fpf1c2p5bf07a.pdf

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6.1. Size:2528K fairchild semi
fpf1c2p5mf07am.pdf

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Liste

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