FPF1C2P5BF07A Todos los transistores

 

FPF1C2P5BF07A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FPF1C2P5BF07A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: F1
 

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FPF1C2P5BF07A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2341K  fairchild semi
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FPF1C2P5BF07A

July. 2014FPF1C2P5BF07AF1 Module solution for PV-ApplicationGeneral DescriptionFairchild's brand-new DC-DC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed.Electrical

 6.1. Size:2528K  fairchild semi
 fpf1c2p5mf07am.pdf pdf_icon

FPF1C2P5BF07A

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History: FDS6673BZ

 

 
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