FPF1C2P5BF07A Todos los transistores

 

FPF1C2P5BF07A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FPF1C2P5BF07A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: F1

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FPF1C2P5BF07A datasheet

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FPF1C2P5BF07A

July. 2014 FPF1C2P5BF07A F1 Module solution for PV-Application General Description Fairchild's brand-new DC-DC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed. Electrical

 6.1. Size:2528K  fairchild semi
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FPF1C2P5BF07A

July. 2014 FPF1C2P5MF07AM F1 Module solution for PV-Application General Description Fairchild's brand-new DC-AC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed. Electrica

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