FPF1C2P5MF07AM Todos los transistores

 

FPF1C2P5MF07AM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FPF1C2P5MF07AM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 620 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: F1
 

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FPF1C2P5MF07AM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2528K  fairchild semi
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FPF1C2P5MF07AM

July. 2014FPF1C2P5MF07AMF1 Module solution for PV-ApplicationGeneral DescriptionFairchild's brand-new DC-AC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed.Electrica

 6.1. Size:2341K  fairchild semi
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FPF1C2P5MF07AM

July. 2014FPF1C2P5BF07AF1 Module solution for PV-ApplicationGeneral DescriptionFairchild's brand-new DC-DC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed.Electrical

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