FPF1C2P5MF07AM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FPF1C2P5MF07AM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 620 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
Encapsulados: F1
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FPF1C2P5MF07AM datasheet
fpf1c2p5mf07am.pdf
July. 2014 FPF1C2P5MF07AM F1 Module solution for PV-Application General Description Fairchild's brand-new DC-AC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed. Electrica
fpf1c2p5bf07a.pdf
July. 2014 FPF1C2P5BF07A F1 Module solution for PV-Application General Description Fairchild's brand-new DC-DC module is designed for a power stage that needs more compact design. And the Press-fit techn- ology provides simple and reliable mounting. This module is op- timized for the application such as solar inverter where a high efficiency and robust design are needed. Electrical
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History: FDBL0120N40
History: FDBL0120N40
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Liste
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