BUZ78 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ78
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ78
BUZ78 Datasheet (PDF)
buz78.pdf
BUZ 78SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 78 800 V 1.5 A 8 TO-220 AB C67078-S1318-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 1.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 6Avalanche current,limited by Tjmax IAR 1.5
buz78.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ78FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
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History: STP34N65M5
History: STP34N65M5
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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