2N7012 Todos los transistores

 

2N7012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 4.8 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO250

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2N7012 Datasheet (PDF)

1.1. 2n7012 2n7013.pdf Size:365K _siliconix

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