2N7012 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N7012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 4.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO250

Otros transistores... 2N7001 , 2N7002 , 2N7002L , 2N7004 , 2N7005 , 2N7006 , 2N7007 , 2N7008 , IRF520 , 2N7013 , 2N7014 , 2N7016 , 2N7022 , 2N7054 , 2N7055 , 2N7057 , 2N7058 .