2SK2879-01 Todos los transistores

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2SK2879-01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2879-01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 160 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.33 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3P

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2SK2879-01 Datasheet (PDF)

1.1. 2sk2879-01.pdf Size:248K _fuji

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N-channel MOS-FET 2SK2879-01 FAP-IIS Series 500V 0,38Ω ±20A 150W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characte

4.1. 2sk2872.pdf Size:236K _fuji

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N-channel MOS-FET 2SK2872-01MR FAP-IIS Series 450V 1,2? ±8A 30W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristic

4.2. 2sk2876-01mr.pdf Size:245K _fuji

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N-channel MOS-FET 2SK2876-01MR FAP-IIS Series 500V 1,5Ω ±6A 30W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = ± 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Character

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