FTP08N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTP08N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTP08N50

FTP08N50 Datasheet (PDF)

..1. Size:468K ark-micro
ftp08n50 fta08n50.pdf

FTP08N50/FTA08N50500V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 500V 0.9 8.0A Low Gate Charge (typical 33nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Marking FTP08N50 TO-

8.1. Size:274K inpower semi
ftp08n06a.pdf

FTP08N06AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications: AutomotiveVDSS RDS(ON) (Max.) ID DC Motor Control55V 8 m 120A Class D Amplifier Uninterruptible Power Supply (UPS)Features:D RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveG Inductive Switching CurvesGDSTO-220Ordering I

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Liste

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