FTU02N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTU02N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
Encapsulados: TO251
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FTU02N70 datasheet
ftu02n70 ftd02n70.pdf
FTU02N70/FTD02N70 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON) (Max.) ID Low ON Resistance Low Gate Charge 700V 6.5 1.8A Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information Part Number Packag
ftu02n60b ftd02n60b.pdf
FTU02N60B/FTD02N60B 600V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 600V 5.5 1.9A Low Gate Charge (typical 7.4nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Halogen-free available Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC LCD Panel Power Ordering Information
ftd02n60c ftu02n60c.pdf
FTD02N60C FTU02N60C N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power 600 V 4.4 2 A SMPS Power Supply LCD Panel Power D Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G G Ordering Information DS DS TO-251 TO-252 S PART NUMBER PAC
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