BSN304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSN304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Encapsulados: TO92
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BSN304 datasheet
bsn304 bsn304a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSN304; BSN304A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSN304; BSN304A D-MOS transistors FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER COND
bsn304.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSN304; BSN304A N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistors April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSN304; BSN304A D-MOS transistors FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER COND
bsn304 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age M3D106 BSN304 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Product specification 2001 Dec 11 Supersedes data of 1997 Jun 17 Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSN304 vertical D-MOS transistor FEATURES PINNING - TO-92 variant Direct interface to C-MOS, TTL, etc. PIN DESCRIPTION High-speed
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