BSN304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSN304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de BSN304 MOSFET
BSN304 Datasheet (PDF)
bsn304 bsn304a cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN304; BSN304AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSN304; BSN304AD-MOS transistorsFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER COND
bsn304.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSN304; BSN304AN-channel enhancement modevertical D-MOS transistorsApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSN304; BSN304AD-MOS transistorsFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER COND
bsn304 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETageM3D106BSN304N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorProduct specification 2001 Dec 11Supersedes data of 1997 Jun 17Philips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSN304vertical D-MOS transistorFEATURES PINNING - TO-92 variant Direct interface to C-MOS, TTL, etc.PIN DESCRIPTION High-speed
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History: IRF830B
History: IRF830B
Liste
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