2SK1078 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK1078
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: PWMINI

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1078

2SK1078 Datasheet (PDF)

..1. Size:371K toshiba
2sk1078.pdf

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

8.1. Size:69K toshiba
2sk1079.pdf

8.2. Size:84K renesas
2sk1070.pdf

Preliminary Datasheet R07DS0282EJ03002SK1070 (Previous: REJ03G0574-0200)Rev.3.00Silicon N-Channel Junction FET Mar 28, 2011Application Low frequency / High frequency amplifier Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)311. Drain2. Source23. GateAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Item Symbol Ratings UnitGate to drain voltage

8.3. Size:62K inchange semiconductor
2sk1074.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1074 DESCRIPTION Drain Current ID=3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 800 V DSS GSV Gate-Source Volta

8.4. Size:201K inchange semiconductor
2sk1073.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1073DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 8

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: CTD10P650

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: